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Ferroelettrici senza fatica raggiungono durata superiore con nuova tecnica

Materiali ferroelettrici senza fatica sviluppati usando la ferroelettricità scorrevole. | Sabato, 15 giugno 2024 A high-tech lab setup with a 3R-MoS2 bilayer semiconductor device under a microscope, research scientists working on experimental stations, and a backdrop showing advanced computational simulations.

Ricercatori sviluppano materiali ferroelettrici senza fatica grazie alla ferroelettricità scorrevole. Un sistema di bilayer 3R-MoS2 mostra nessuna perdita di prestazioni dopo 10^6 cicli di commutazione.

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